Развернуть чат
Активные темы
Обзор всех активных тем »
РЕКЛАМА
Наш опрос
Поддерживаете ли вы предложение ряда депутатов Госдумы судить Горбачева за развал СССР?

Да
Нет
Не знаю

Все опросы
Главная страница » Новости » Новости науки и техники » «Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники
«Швабе» запатентовал полупроводниковый излучатель для лазерной техники


Научно-исследовательский институт «Полюс» (НИИ «Полюс», предприятие Холдинга «Швабе») получил патент на полупроводниковый излучатель, сообщает пресс-служба холдинга.

Устройство относится к области полупроводниковой квантовой электроники и применяется при изготовлении различной лазерной техники. Как уточнили в пресс-службе, особенностями новинки НИИ «Полюс» является то, что все части пассивной секции полупроводникового излучателя имеют изоляционное покрытие, а каждая диодная линейка изделия является лазерной или суперлюминесцентной.

«Изменение конструкции устройства позволило нам при неизменности пространственных показателей излучения увеличить на 10 % выходные мощностные характеристики и на 30 % ресурс работы по сравнению с существующими аналогами. Помимо этого нам удалось повысить электростабильность и надежность работы изделия», - так прокомментировал разработку генеральный директор Научно-исследовательского института «Полюс» Евгений Кузнецов.

Как отмечается в сообщении, запуск нового полупроводникового излучателя НИИ «Полюс» в серийное производство запланирован в 2018 году.

Акционерное общество «Научно-исследовательский институт «Полюс» имени М.Ф. Стельмаха» является ведущим научным центром России в области лазерных технологий и крупнейшим в России научно-производственным центром в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающим многими уникальными базовыми технологиями. Входит в холдинг «Швабе» Госкорпорации «Ростех». В августе 2016 года распоряжением Правительства Москвы получило статус технопарка.
# Журналист   Фрегат (17 февраля 2017 в 23:30)
НИИ «Полюс» является крупнейшим в России научно-производственным центром в области квантовой электроники и лазерной технологии, обладающим многими уникальными базовыми технологиями, в том числе выращиванием высокотемпературных активных и нелинейных лазерных кристаллов; формированием многослойных (до 1000 квантово-размерных слоев) структур соединений А3В5 для полупроводниковых гетеролазеров и фотоприемников методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов; формированием многослойных диэлектрических покрытий методом ионно-лучевого испарения.
Отредактировал Фрегат 19 февраля 2017 в 21:33
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.