Развернуть чат
Активные темы
Обзор всех активных тем »
РЕКЛАМА
Наш опрос
Поддерживаете ли вы предложение ряда депутатов Госдумы судить Горбачева за развал СССР?

Да
Нет
Не знаю

Все опросы
Главная страница » Новости » Новости науки и техники » Начался выпуск новых российских нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов
Начался выпуск новых российских нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов


Разработанные в НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже современные отечественные GaN-транзисторы ПП9137А запущены в серийное производство госконцерном «Созвездие» в составе холдинга «Росэлектроника». Они предназначены для новых систем радиолокации и оборудования 5G-сетей.

Как сообщают представители разработчика, гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.

Транзисторы, уже запущенные в серию, прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и уже поставляются более чем 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.

Приводятся данные, что ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности - от 9 до 13 дБ, КПД стока - не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.